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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      驱动电压（yā）(V)：

      10

      通（tōng）道极（jí）性（xìng）：

      N沟道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-247-3/-55~125

      描述：

      600V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结（jié）技术的功率MOSFET


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